GaP・InP高圧合成装置
Gap・InP高圧合成装置
アンプルに封入されたGa（またはIn）とPを、一定蒸気圧のもとでGaP（またはInP）に合成する装置です。
高圧ガス保安法に基づいて製作しています。
特徴
- 3ゾーン式ヒーターの採用により安定した温度分布が得られます。
- 作業性に配慮した構造です。
- 安定した耐圧構造を採用しています。
仕様
| 高圧チャンバー | 耐圧3.83MPa |
| 抵抗加熱炉部 | カンダルーA1 3ゾーン |
| 高周波電源 | 50kW |
| アンプル移動速度 | 5～50mm/h |
| 早送り移動速度 | 150mm/min |
| ストローク | 600mm |
| 電源容量 高周波電源 | 3Φ 200V 60kVA |
| 電源容量 制御部 | 3Φ 200V 5kVA |
| 冷却水 高周波電源 | 0.25MPa 50ℓ/min |
| 冷却水 炉体部 | 0.25MPa 20ℓ/min |