SiC単結晶成長装置
SiC単結晶成長装置
高周波誘導加熱式によるSiC（又はAlN）単結晶成長装置です。
特徴
- 超小型50kW高周波電源が本体に内蔵されているため、省スペースです。
- 国家プロジェクトにも採用され、多数の実績を持っています。
仕様
| 加熱温度 | MAX 2500℃ |
| 高周波電源 | 50kW |
| ルツボ寸法 | 外径Φ150×280H |
| 雰囲気 | 真空、Ar、N₂ |
| 到達圧力 | 1.33×10⁻³Pa |
| 圧力制御 | 1330～9.3×10⁻⁴Pa |
| 測温 | 放射温度計による測温 |
| 電源容量 高周波電源 | 3Φ 200V 60kVA |
| 電源容量 制御部 | 3Φ 200V 5kVA |
| 電源容量 CPUユニット | 1Φ 100V 500VA |
| 冷却水 高周波電源 | 0.25MPa 50ℓ/min |
| 冷却水 炉体部 | ０．２５MPa 20ℓ／min |