超小型単結晶引上装置
超小型単結晶引上装置（石英管タイプ） 高周波誘導加熱式による超小型の単結晶育成装置です。 特徴 仕様 加熱温度 MAX 2100℃ 高周波電源 5k...
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結晶成長装置
酸化物単結晶引上装置
酸化物単結晶引上装置 高周波誘導加熱による各種酸化物単結晶の引上装置です。 特徴 仕様 加熱温度 MAX2200℃ 高周波電源 50kW 引上軸移動...
μ-PD装置（結晶引き下げ装置）
μ-PD装置（結晶引き下げ装置） 高周波誘導加熱式によるマイクロ引下げ結晶育成装置です。 特徴 仕様 加熱温度 MAX 2100℃ 高周波電源 30...
高温アニール装置
高温アニール装置 高周波電源を使用し、真空引き後に不活性ガス雰囲気において、石英管内にセットしたサセプタ内の材料をアニールする装置です。 特徴 仕様...
SiC単結晶成長装置
SiC単結晶成長装置 高周波誘導加熱式によるSiC（又はAlN）単結晶成長装置です。 特徴 超小型50kW高周波電源が本体に内蔵されているため、省ス...
GaP・InP高圧合成装置
Gap・InP高圧合成装置 アンプルに封入されたGa（またはIn）とPを、一定蒸気圧のもとでGaP（またはInP）に合成する装置です。高圧ガス保安法...